Tranzystor MOSFET IPA60R280E6
Producent:
Tranzystor MOSFET IPA60R280E6 Parametry: Typ: tranzystor MOSFET Model: IPA60R280E6 Shenzen Hong Ming Oznaczenie producenta: 6R280E6 Polaryzacja: N-Channel Strata mocy Pd: 32W Napięcie przebicia dren-źródło Vds: 600V Napięcie bramka-źródło Vgs: 20V Napięcie progowe bramka-źródło Vgs th: 3,5V Ciągły prąd drenu Id: 13,8A Maksymalna temperatura robocza: 150°C Ładunek bramki Qg: 43nC Czas narastania tr: 9nS Pojemność dren-źródło Cd: 60pF Maksymalna rezystancja dren-źródło w stanie włączenia Rds: 0,28Ω
Sklep: otokomputery.pl
Cena:
11.00
PLN
Przejdź do sklepu